最新动态
查看更多资讯 >
模块电源底板散热与风冷怎么选
这类问题不能只看设备名称，核心是根据损耗、允许壳温、热阻、底板平面、导热材料、风速、海拔、邻近热源和安装方向比较散热路线。结论只适用于已说明的材料、环境和测试条件，条件改变后应重新评估。样件阶段先证明什么本题建议以功耗作为基线，以风冷作为主要观察量，并用环境完成结果复核。测试报告要写明样品、设备、软件、夹具、环境和数据处理方式。小批阶段核对哪些波动核对对象现场或项目条件对应作用功耗输入输出与效
锂电极片涂布机单层与双层怎么选
采购或调试前，建议先根据涂层结构、面密度、宽度、速度、烘箱能力、层间结合、换线和缺陷控制比较单层与双层挤出方案。采购前应把现场条件、量测方法和交付范围写清，未披露数据不作推测。锂电极片涂布机单层与双层怎么对应什么场景双层涂布可减少部分流程，但对浆料匹配、模头、层间稳定和干燥提出不同要求。选择要看产品结构和实际良率。。公司官网列出的锂电极片制造环节包括制浆、涂布、辊压、分切及固态电池复合设备。功
TSV电镀填充设备如何评估空洞与过镀
这类问题不能只看设备名称，核心是围绕孔径、深宽比、种子层、前处理、电流波形、药液、流场、温度和在线监控建立填充窗口。采购前应把现场条件、量测方法和交付范围写清，未披露数据不作推测。先复现现象，不急着改参数TSV填充需要协调孔底生长、孔口抑制和面内均匀。北方华创ESG报告将电化学镀膜列为先进封装装备，项目判据仍需用截面和电学验证。从结构排到结果核对对象现场或项目条件对应作用结构孔径、深度与分布确
TSV深硅刻蚀设备选型看哪些参数
这类问题不能只看设备名称，核心是重点核对孔径、深度、深宽比、侧壁形貌、刻蚀速率、均匀性、选择比、底部状态和晶圆背面保护。需要企业确认的内容应在询价单中单列，不把行业常见值写成该公司参数。先复现现象，不急着改参数先进封装中的TSV刻蚀对快速气体切换、温控和边缘保护有较高要求。不同后续填充和键合工艺，对侧壁粗糙和底部残留的容限也不同。从结构排到量产核对对象现场或项目条件对应作用结构孔径、深度和密度
刻蚀设备是干什么的？芯片刻蚀工艺科普
用一句话说清刻蚀光刻在光刻胶上画出图形，刻蚀则把这个图形真正刻进硅片材料里。芯片上的晶体管沟槽、互连孔洞，都是刻蚀一刀一刀刻出来的。这个环节直接决定图形的保真度，是芯片制造中技术含量居前的工序。干法和湿法，两种技术路线刻蚀分干法和湿法。湿法用化学溶液腐蚀材料，成本低但方向控制弱；干法用等离子体轰击，方向性好、精度高，是先进制程的主流。干法刻蚀设备又分电容耦合（CCP）和电感耦合（ICP）等类型
碳化硅器件生产线需要北方华创哪些装备？
一条碳化硅产线的工序地图碳化硅器件制造从粉料开始，经长晶、切磨抛得到衬底，再经外延生长进入器件制造：刻蚀形成台面和沟槽，离子注入形成掺杂区，高温退火激活杂质，高温氧化形成栅介质，金属化做出欧姆接触和电极，清洗贯穿始终。北方华创装备的对应关系按工序顺序看：长晶环节有APS系列SiC晶体生长系统，外延环节有碳化硅外延炉，刻蚀环节有GSEC200系列等离子刻蚀机，注入后的激活由ActivSiC-65
